[发明专利]多波长半导体激光器及其制造方法无效
| 申请号： | 200410043091.3 | 申请日： | 2004-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN1540821A | 公开（公告）日： | 2004-10-27 |
| 发明（设计）人： | 荒木田孝博 | 申请（专利权）人： | 索尼株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/30 | 分类号： | H01S5/30;H01S5/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 范明娥;张平元 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 公开一种多波长半导体激光器。多波长半导体激光器具有通过分离区域设置在公共衬底上的第一侧边发射型谐振器结构和第二侧边发射型谐振器结构。第一侧边发射型谐振器结构具有650nm的振荡波长。第二侧边发射型谐振器结构具有780nm的振荡波长。低反射薄膜是由60nm的第一Al2O3薄膜、55nm的TiO2薄膜和140nm的第二Al2O3薄膜组成的三层介电薄膜，其中TiO2薄膜的折射率小于第一Al2O3薄膜的折射率和第二Al2O3薄膜的折射率。 | ||
| 搜索关键词： | 波长 半导体激光器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种多波长半导体激光器，单片上具有多个具有不同波长的侧边发射型半导体激光器件，其中：公共的低反射多层薄膜，它是由依次向外形成的第一介电薄膜、第二介电薄膜和第三介电薄膜所组成的三层介电薄膜，形成具有相同薄膜厚度的该公共的低反射薄膜是设置在所述多个侧边发射型半导体激光器件的光发射面上，并且所述第二介电薄膜的折射率大于所述第一介电薄膜的折射率和所述第三介电薄膜的折射率。
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