[发明专利]半导体器件和电源系统有效
| 申请号： | 200410043136.7 | 申请日： | 2004-05-13 |
| 公开（公告）号： | CN1551342A | 公开（公告）日： | 2004-12-01 |
| 发明（设计）人： | 白石正树;岩崎贵之;松浦伸悌;宇野友彰 | 申请（专利权）人： | 株式会社瑞萨科技 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 付建军 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 功率MOS－FET被用作非绝缘DC/DC变换器中的高端开关晶体管。用作功率MOS－FET源极端子的电极区分别通过连结导线连接到一个外部引线和两个外部引线。所述一个外部引线是连接到用于驱动栅极的通路上的外部端子。所述两个外部引线中的每一个是连接到主电流通路的外部端子。由于以分立的形式连接主电流通路和栅极驱动通路，因此可以减小寄生电感的影响，并提高电压变换效率。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 电源 系统 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：用作高端开关的第一功率晶体管，其中所述第一功率晶体管的源极端子分别连接到第一外部连接端子和第二外部连接端子，以及所述第一外部连接端子和第二外部连接端子是分别形成的，从而以不同的通路彼此分离。
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