[发明专利]制造具有不同厚度氧化膜的半导体器件的方法有效
| 申请号： | 200410043177.6 | 申请日： | 2004-05-13 |
| 公开（公告）号： | CN1622292A | 公开（公告）日： | 2005-06-01 |
| 发明（设计）人： | 神田隆行 | 申请（专利权）人： | 尔必达存储器株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/316 | 分类号： | H01L21/316;H01L21/318;H01L21/283;H01L21/336;H01L21/8234;H01L27/088 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 穆德骏;樊卫民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明公开了一种制造具有不同厚度氧化膜的半导体器件的方法，该方法包括：在衬底(301)上形成第一栅氧化膜(302)后，通过第一氧氮化工艺形成氮化层(303)。从衬底的薄膜部区上有选择地除去第一栅氧化膜。第二栅氧化膜形成工艺在薄膜部区中形成第二栅氧化膜(305A)，在厚膜部区中形成第三栅氧化膜(305B)。通过实施第二氧氮化工艺，在薄和厚部区形成氮化层(306A和306B)。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 具有 不同 厚度 氧化 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括用于在衬底上形成具有不同厚度氧化膜的多步氧化工艺，所述方法包括以下步骤：实施氧化膜形成工艺从而在所述衬底上形成各所述氧化膜，和在氧化膜形成工艺后，不可避免地实施氧氮化工艺从而在各所述氧化膜中形成氮化层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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