[发明专利]半导体装置的制造方法及电子器件的制造方法无效
| 申请号： | 200410043333.9 | 申请日： | 2004-05-14 |
| 公开（公告）号： | CN1551317A | 公开（公告）日： | 2004-12-01 |
| 发明（设计）人： | 汤泽秀树 | 申请（专利权）人： | 精工爱普生株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/58 | 分类号： | H01L21/58;H01L21/56;H01L21/60 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 李香兰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体装置的制造方法及电子器件的制造方法，沿半导体芯片(3)的一方的长边(3a)，直线状排列凸块电极(4a)，沿半导体芯片(3)的另一方的长边(3b)，交错状排列凸块电极(4b)，通过从排列有凸块电极(4b)的长边(3b)侧注入封装树脂(5)，封装面朝下安装在薄膜基板(1)上的半导体芯片(3)的表面。根据本发明的半导体装置的制造方法，能够在抑制产生空隙的同时注入封装树脂。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 电子器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：将形成有间隔不同的多个凸块电极列的半导体芯片，面朝下安装在布线基板上的工序；及从间隔窄的一方的凸块电极的排列侧注入树脂的工序。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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