[发明专利]OLED器件用高透明顶面电极无效
| 申请号： | 200410043400.7 | 申请日： | 2004-05-08 |
| 公开（公告）号： | CN1551689A | 公开（公告）日： | 2004-12-01 |
| 发明（设计）人： | P·K·雷乔胡里;J·K·马达蒂尔 | 申请（专利权）人： | 伊斯曼柯达公司 |
| 主分类号： | H05B33/10 | 分类号： | H05B33/10;H05B33/26 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 刘维升;马崇德 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种制造能透过该器件顶部电极发光的OLED器件的方法，包括：提供基材和在基材上的阳极；提供沉积在阳极上的发射层；提供在发射层上的第一和第二层，其中第一层与发射层或电子－传输层接触并具有包括电子－注入元素的化合物，以及第二层具有反应性金属，且其中此种反应性金属与该化合物起反应放出电子－注入元素，该元素给发射层的界面区掺杂从而改善电子－注入，同时也降低第一和第二层的反射率；以及提供在第二层上的透明导电非金属顶部电极。 | ||
| 搜索关键词： | oled 器件 透明 电极 | ||
【主权项】：
1.制造能透过该器件顶部电极发光的OLED器件的方法，包括下列步骤：(a)提供基材和在基材上的阳极；(b)提供沉积在阳极上的发射层；(c)提供在发射层上的第一和第二层，其中第一层与发射层接触并具有包括电子-注入元素的化合物，以及第二层与第一层接触并具有反应性金属，且其中此种反应性金属与该化合物起反应放出电子-注入元素，该元素给发射层的界面区掺杂从而改善电子-注入，同时也降低第一和第二层的反射率；以及(d)提供在第二层上的透明导电非金属顶部电极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于伊斯曼柯达公司，未经伊斯曼柯达公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200410043400.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
