[发明专利]场效应晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 200410043450.5 | 申请日： | 2004-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN1551370A | 公开（公告）日： | 2004-12-01 |
| 发明（设计）人： | 野田真 | 申请（专利权）人： | 索尼株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 李家麟 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 场效应晶体管至少包括：建立在半导体层中的沟道形成区域；以及控制电极，它经由控制极绝缘薄膜而具有与该沟道形成区域的面对面关系，其中，该半导体层由半导体材料层和传导粒子的混合物制成。该场效应晶体管能够提高载体迁移率。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种场效应晶体管，其特征在于至少包括：建立在半导体层中的沟道形成区域，以及，控制电极，它经由控制极绝缘层而具有与所述沟道形成区域的面对面关系，其中，所述半导体层由半导体材料层和传导粒子的混合物制成。
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