[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

本发明提供的半导体器件包括，有绝缘表面的基片以及半导体膜，它包括绝缘表面上形成的结晶硅，半导体膜中含有促进结晶的金属，其浓度不大于1原子％。该半导体器件的制法包括：在基片的一绝缘表面上形成含非晶态硅的半导体膜；选择地形成含一种金属的层，它与半导体膜的第一部分接触；对它们进行加热，使半导体膜由第一部分至第二部分结晶，金属则通过半导体膜扩散。将半导体膜的至少第一和第二部分隔离开。

主权项

1.一种半导体器件的制造方法，它包括工序：在基片的绝缘表面上形成含有非晶态硅的半导体膜；提供一种与所述半导体膜接触的金属；对所述半导体膜加热，以形成结晶的半导体膜；将结晶的半导体膜制成图形，以形成结晶的半导体岛，从而除去结晶的末端，以及用所述结晶的半导体岛作为活性层，形成半导体器件，其中在加热工序中，与所述金属邻接的该半导体膜的第一部分与所述金属反应，成为第一硅化物，然后与所述第一硅化物邻接的该半导体膜的第二部分与所述第一硅化物反应，成为第二硅化物。