[发明专利]用于电子光学器件的半导体电路及其制造方法无效
| 申请号： | 200410043530.0 | 申请日： | 1995-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN1545144A | 公开（公告）日： | 2004-11-10 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平;寺本聪 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/12;H01L27/02;H01L21/00;G02F1/133 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 梁永 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 在一块衬底上所形成的单片有源矩阵电路中，至少用于驱动矩阵区的构成外围电路的一部分薄膜晶体管(TFT)的有源区添加了浓度为1×1016－5×1019cm－3的促进硅结晶化的金属元素，没有金属元素添加到矩阵区的TFT有源区。至少构成外围电路的一部分TFT的沟道形成区和用于短阵区的TFT的沟道形成区是由具有单畴结构的硅半导体薄膜形成。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 电子光学 器件 半导体 电路 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：一个形成在绝缘表面上的结晶半导体岛；在所述半导体岛上的源和漏区；在所述源和漏区之间的沟道形成区；与至少所述规定形成区相邻的栅绝缘膜；与所述规定形成区相邻的栅电极，所述栅绝缘膜位于它们之间；其中所述结晶半导体岛形成在不含有晶粒边界的单畴区；其中包含的氢和卤族元素中的至少一个的浓度不高于1×1020cm-3；其中所述半导体器件一个p-沟道薄膜晶体管，其迁移率在200-400cm2/Vs。
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