[发明专利]晶体的可视化小角度倾斜温梯冷凝生长装置及其生长方法有效
| 申请号： | 200410043669.5 | 申请日： | 2004-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN1594672A | 公开（公告）日： | 2005-03-16 |
| 发明（设计）人： | 杨春晖;王锐 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工业大学 |
| 主分类号： | C30B11/00 | 分类号： | C30B11/00 |
| 代理公司： | 哈尔滨市松花江专利商标事务所 | 代理人： | 张伟 |
| 地址： | 150001黑龙江*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 晶体的可视化小角度倾斜温梯冷凝生长装置及其生长方法，涉及一种晶体材料的生长装置及其生长方法。现有的生长装置存在镀金不方便、镀层不均匀、晶体生长应力大等弊端。本发明的生长装置与地面呈倾斜设置，倾斜后的装置中，高温热电阻(5－2)的水平高度高于低温热电阻(5－1)的水平高度。本发明的生长方法为：将生长船(3)置于石英管(4)中，密封后置于生长装置内，升高炉温，保持温度1～2小时；然后降低炉体温度，降温速率为0.05～0.1K/hr，当生长船(3)中整个晶体生成时，降温速率提高到2～5K/hr直至室温。本发明装置的晶体可以定向生长，同时，晶体向下生长比水平生长，更符合晶体生长规律，晶体质量更好；本发明方法可以避免晶体开裂，利于推广应用。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体 可视化 角度 倾斜 冷凝 生长 装置 及其 方法 | ||
【主权项】：
1、一种晶体的可视化小角度倾斜温梯冷凝生长装置，它包括三层石英管(1)、安装在第二层石英管(1-2)和第三层石英管(1-3)之间的热电耦(2)，安装在第三层石英管(1-3)内的生长船(3)，安装在第二层石英管(1-2)内的低温热电阻(5-1)和高温热电阻(5-2)，其特征在于该生长装置与地面呈倾斜设置，倾斜后的装置中，高温热电阻(5-2)的水平高度高于低温热电阻(5-1)的水平高度。
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