[发明专利]一系列半导体材料无效

专利信息
申请号: 200410044325.6 申请日: 2004-05-25
公开(公告)号: CN1705139A 公开(公告)日: 2005-12-07
发明(设计)人: 陈文通;郭国聪;李强;王明盛;徐玲;蔡丽珍 申请(专利权)人: 中国科学院福建物质结构研究所
主分类号: H01L31/0296 分类号: H01L31/0296;C30B29/10
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 350002福*** 国省代码: 福建;35
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 一系列半导体材料,涉及新型半导体材料系列CdHg5Q5X4(Q=S,Se,Te;X=Cl,Br,I)及其制备方法。CdHg5Q5X4(Q=S,Se,Te;X=Cl,Br,I)空间群为Cmm2(No35),单胞参数为a=16.7~17.9,b=8.8~10.0,c=9.1~10.2,α=β=γ=90°,Z=4,单胞体积V=1500~2000电池以及光电开关等领域。
搜索关键词: 一系列 半导体材料
【主权项】:
1.一系列半导体材料,其特征在于:CdHg5Q5X4(Q=S,Se,Te;X=Cl,Br,I)空间群为Cmm2(No35),单胞参数为a=16.7~17.9,b=8.8~10.0,c=9.1~10.2,α=β=γ=90°,Z=4,单胞体积V=1500~20003。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院福建物质结构研究所,未经中国科学院福建物质结构研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200410044325.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top