[发明专利]半导体存储装置及其动作方法、半导体装置及便携电子设备

摘要

半导体存储装置具有：半导体基片，其在表面部分形成了元件分离区及未形成该元件分离区的活化区；在活化区形成的作为源极或漏极来动作的2个源极/漏极扩散区；在这2个源极/漏极扩散区之间确定的沟道区；在第1方向延伸的多个第1位线；在第1方向延伸的多个第2位线；在第2方向延伸并排列在该第2方向的活化区的沟道区上介于绝缘体来设置，在沟道区上作为栅电极来起作用的多个字线；对该栅电极，在源极/漏极扩散区的一方侧与另一方侧的侧壁形成，具有保持电荷或极化的功能的存储功能体。根据选择规定的字线及第1位线及第2位线而被特定的存储功能体中所保持的电荷或极化的多寡，流经沟道区的电荷量发生变化。

主权项

1.一种半导体存储装置，其结构特征在于：在半导体基片的表面部分，形成元件分离区、未形成该元件分离区的活化区，上述活化区以由第1方向、与该第1方向交叉的第2方向定义的矩阵状来配置有多个，在上述各活化区，形成作为源极或漏极来动作的2个源极/漏极扩散区，在这2个源极/漏极扩散区之间确定沟道区，在上述半导体基片上，设置在上述第2方向延伸的多个字线，该字线在按上述第2方向排列的活化区的沟道区上，介于绝缘体来设置，在上述半导体基片上，设置在上述第1方向延伸的多个第1位线、在上述第1方向延伸的多个第2位线，上述第1位线，与按上述第1方向排列的活化区中形成的上述源极/漏极扩散区的一方连接，上述第2位线，与按上述第1方向排列的活化区中形成的上述源极/漏极扩散区的另一方连接，上述字线在上述沟道区上作为栅电极来起作用，上述绝缘体在上述沟道区上作为栅绝缘膜来起作用，对上述栅电极，在上述源极/漏极扩散区的一方侧与另一方侧的侧壁，各自形成具有保持电荷或极化的功能的存储功能体，根据选择规定的字线及第1位线及第2位线而被特定的上述存储功能体中所保持的电荷或极化的多寡，来使流经选择上述规定的字线及第1位线及第2位线而被特定的上述沟道区的电荷量变化。