[发明专利]半导体芯片的制造方法、半导体装置的制造方法、半导体芯片及半导体装置有效
| 申请号： | 200410044584.9 | 申请日： | 2004-05-13 |
| 公开（公告）号： | CN1551312A | 公开（公告）日： | 2004-12-01 |
| 发明（设计）人： | 谷田一真;根本义彦;田中直敬 | 申请（专利权）人： | 罗姆股份有限公司;三菱电机株式会社;株式会社日立制作所 |
| 主分类号： | H01L21/44 | 分类号： | H01L21/44;H01L21/60;H01L21/50;H01L25/065;H01L25/07;H01L25/18;H01L27/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体芯片的制造方法，包括：从具有表面及背面且在表面上形成有功能元件的半导体基板的表面，形成沿该半导体基板的厚度方向延伸的表面侧凹处的工序；向该表面侧凹处内供给金属材料，形成与功能元件电连接的表面侧电极的表面侧电极形成工序；从背面去除半导体基板，将半导体基板薄形化至比表面侧凹处的深度大的所定厚度的薄型化工序；在该薄型化工序之后，通过在半导体基板的背面形成与表面侧凹处连通的背面侧凹处，从而形成包括表面侧凹处和背面侧凹处在内的连续的贯通孔的背面侧凹处形成工序；向背面侧凹处供给金属材料，形成与表面侧电极电连接的、与表面侧电极一起构成贯通半导体基板的贯通电极的背面侧电极形成工序。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 芯片 制造 方法 装置 | ||
【主权项】：
1、一种半导体芯片的制造方法，其特征在于，包括：从具有表面及背面且在所述表面上形成有功能元件的半导体基板的所述表面，形成沿该半导体基板的厚度方向延伸的表面侧凹处的工序；向该表面侧凹处内供给金属材料，形成与所述功能元件电连接的表面侧电极的表面侧电极形成工序；从所述背面去除所述半导体基板，将所述半导体基板薄形化至比所述表面侧凹处的深度大的所定厚度的薄型化工序；在该薄型化工序之后，通过在所述半导体基板的所述背面形成与所述表面侧凹处连通的背面侧凹处，从而形成包括所述表面侧凹处和所述背面侧凹处在内的连续的贯通孔的背面侧凹处形成工序；向所述背面侧凹处供给金属材料，形成与所述表面侧电极电连接的、与所述表面侧电极一起构成贯通所述半导体基板的贯通电极的背面侧电极形成工序。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于罗姆股份有限公司;三菱电机株式会社;株式会社日立制作所，未经罗姆股份有限公司;三菱电机株式会社;株式会社日立制作所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200410044584.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
