[发明专利]半导体器件及其制造方法有效

专利信息
申请号: 200410044719.1 申请日: 2004-05-17
公开(公告)号: CN1645597A 公开(公告)日: 2005-07-27
发明(设计)人: 纳谷欣一 申请(专利权)人: 卡西欧迈克罗尼克斯株式会社
主分类号: H01L23/00 分类号: H01L23/00;H01L23/544;B23K26/00;H01L21/02;H01L21/301
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 代理人: 刘炳胜
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 按照本发明,一种半导体器件具有其上形成有外部连接电极的上表面和与上表面相对并处于镜面态的下表面(10)(#a)。在部分下表面(10)(#a)形成由激光标记打毛的粗糙区(14)。粗糙区(14)包括半导体器件自身的产品信息标记(14)(#a)。产品信息标记(14)(#a)由激光标记印制。确定粗糙区(14)的数量、尺寸、形状和配置位置,以当用光辐照下表面(10)(#a)时,可以从粗糙区(14)和镜面抛光区(12)之间的光反射差读取产品信息。
搜索关键词: 半导体器件 及其 制造 方法
【主权项】:
1.一种半导体器件,其具有其上形成有外部连接电极的第一表面和与第一表面相对并处于镜面态的第二表面,该器件包括形成在部分第二表面由激光标记打毛的粗糙区,由多个焊口形成粗糙区,每个焊口包括凹陷部分和环绕凹陷部分的突出部分,和其特征在于粗糙区包含半导体器件自身的产品信息,其由激光标记输入。
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