[发明专利]半导体存储装置及其制造方法、半导体装置、便携电子设备以及IC卡

摘要

本发明的半导体存储装置，包括场效应晶体管，其在半导体基片1上具有栅绝缘膜2、栅电极3、一对源极/漏极扩散区13a、13b。包括覆盖膜21，其由以覆盖栅电极3的上面及侧面的状态，在基片1上形成的具有存储电荷的功能的绝缘体构成。包括层间绝缘膜23，其在覆盖膜21上相接形成。包括接触部件25、25，其在各源极/漏极扩散区13a、13b上分别在上下方向贯通层间绝缘膜23与覆盖膜21，并与该源极/漏极扩散区13a、13b电连接。覆盖膜21及层间绝缘膜23由可选择性蚀刻的材料来构成。这样，可消除过删除及由此引起的读出不良的问题，可提高可靠性。

主权项

1.一种半导体存储装置，其特征在于：具有场效应晶体管，其具有在半导体基片上介于栅绝缘膜来形成的栅电极、相当于上述栅电极的两侧的半导体基片表面上所形成的一对源极/漏极扩散区，包括覆盖膜，其由以覆盖上述栅电极的上面及侧面的状态，在上述半导体基片上形成的具有存储电荷的功能的绝缘体构成；层间绝缘膜，其在上述覆盖膜上相接形成；接触部件，其在上述各源极/漏极扩散区上分别在上下方向贯通上述层间绝缘膜与覆盖膜，并与该源极/漏极扩散区电连接，上述覆盖膜及层间绝缘膜由可选择性蚀刻的材料来构成。