[发明专利]形成绝缘体上硅锗衬底材料的方法、衬底材料及异质结构无效
| 申请号： | 200410044779.3 | 申请日： | 2004-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN1574226A | 公开（公告）日： | 2005-02-02 |
| 发明（设计）人： | 格哈瓦姆·G·莎赫迪;斯蒂芬·W·贝德尔;德维恩卓·K·萨达纳;凯思·E·佛格尔 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;H01L21/265;H01L21/84 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种利用SIMOX和锗互扩散形成基本上驰豫的、高质量绝缘体上硅锗衬底材料的方法。该方法包括首先将离子注入含硅衬底中，从而在含硅衬底中形成富注入物区。富注入物区具有足够的离子浓度，使得在随后的高温退火期间可以形成阻挡锗扩散的阻挡层。接着，在含硅衬底的表面上形成含锗层，然后在允许形成阻挡层和锗互扩散的温度下进行加热步骤，从而在阻挡层上面形成了基本上驰豫的单晶硅锗层。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 绝缘体 上硅锗 衬底 材料 方法 结构 | ||
【主权项】：
1.一种制造基本上驰豫的、高质量绝缘体上硅锗衬底材料的方法，该方法包括步骤：将离子注入含硅衬底中，形成具有足够的离子浓度以用作对锗的扩散阻挡层的富注入物区，所述富注入物区具有位于其上面的含硅衬底表面层；在注入后的含硅衬底上面形成含锗层；及在允许(i)形成扩散阻挡层和(ii)锗互扩散发生在整个所述含锗层和位于富注入物区上面的所述含硅衬底表面层的温度下加热衬底，从而在所述扩散阻挡层上面形成了基本上驰豫的硅锗层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于国际商业机器公司，未经国际商业机器公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200410044779.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
