[发明专利]从物体微观结构中去除残余物的方法和装置无效
| 申请号： | 200410044791.4 | 申请日： | 2002-02-08 |
| 公开（公告）号： | CN1542910A | 公开（公告）日： | 2004-11-03 |
| 发明（设计）人： | 达里尔·W·彼得斯;马修·I·埃贝 | 申请（专利权）人： | 株式会社神户制钢所 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/302;B08B3/00;C11D1/00;C11D3/37 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 陈长会 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种从物体微观结构中去除残余物的方法，该方法包括的步骤有：制备去除剂，该去除剂包含二氧化碳、去除残余物的添加剂、和在加压流体状态下将添加剂溶解于该二氧化碳的助溶剂；将物体与去除剂接触以从物体中去除残余物。还提供了一种用来实现此方法的装置。 | ||
| 搜索关键词： | 物体 微观 结构 去除 残余物 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种从物体微观结构中去除残余物的组合物，该组合物包含：二氧化碳；去除残余物的添加剂，该添加剂含有化学式为NR1R2R3R4F的氟化物，其中R1，R2，R3和R4各自独立地为氢或烃基；和在加压流体状态下将所述添加剂溶解到所述二氧化碳中的助溶剂。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社神户制钢所，未经株式会社神户制钢所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200410044791.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：食物切片器
- 下一篇：从人造血干细胞分化的CD8α+淋巴树突细胞和分化方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
