[发明专利]电子器件的制造方法和能量线吸收材料无效
| 申请号： | 200410045108.9 | 申请日： | 2004-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN1542925A | 公开（公告）日： | 2004-11-03 |
| 发明（设计）人： | 坂井淳二郎 | 申请（专利权）人： | 株式会社瑞萨科技 |
| 主分类号： | H01L21/312 | 分类号： | H01L21/312 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 郭煜;庞立志 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供即使在对低介电常数层间绝缘膜构图的情况下，也可以对光敏抗蚀剂进行固化处理的电子器件的制造方法和能量线吸收材料。于在低介电常数层间绝缘膜4上形成含有下述通式(1)的化合物的能量线吸收膜5的状态下，对光敏抗蚀剂7进行EB固化处理。通式(1)的化合物能很好地吸收电子束，因此电子束难于到达作为被加工膜的低介电常数层间绝缘膜4。化1(在图下)通式(1)(式中X、X’、R和R’中的至少一种是溴、碘、溴化烷基、碘化烷基中的任意一种，n是自然数)。 | ||
| 搜索关键词： | 电子器件 制造 方法 能量 吸收 材料 | ||
【主权项】：
1.电子器件的制造方法，包括(a)在基板上形成被加工膜的工序、(b)在前述被加工膜上形成能量线吸收膜的工序、(c)在前述能量线吸收膜上形成光敏抗蚀剂图案的工序和(d)用前述光敏抗蚀剂图案作为掩模对前述被加工膜进行蚀刻的工序，其中，前述能量线吸收膜含有通式(1)表示的化合物【化1】![]()
通式(1)(式中X、X′、R和R′中的至少一种是溴、碘、溴化烷基、碘化烷基中的任意一种，n是自然数)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社瑞萨科技，未经株式会社瑞萨科技许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200410045108.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
