[发明专利]薄膜结构体及其制造方法无效
申请号: | 200410045258.X | 申请日: | 2004-06-04 |
公开(公告)号: | CN1573937A | 公开(公告)日: | 2005-02-02 |
发明(设计)人: | 矢泽久幸 | 申请(专利权)人: | 阿尔卑斯电气株式会社 |
主分类号: | G11B5/31 | 分类号: | G11B5/31 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 刘建 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 一种薄膜结构体及其制造方法,该薄膜结构体,在上层部(86),侧边缘部(86a)比基底部(81)的侧边缘部(81b)向外侧伸出而形成延出部(86b),线圈绝缘层(绝缘层)(57)也存在延出部(86b)的下方。由于在突起部(87)的延出部(86b)的下方也存在线圈绝缘层(绝缘层)(57),所以突起部(87)的周围的机械强度提高。从而,在保护层(绝缘层)(61)不易生成裂纹,而提高导通连接结构的耐蚀性。因此,这种薄膜结构体,机械强度高,并能够用于导通连接。 | ||
搜索关键词: | 薄膜 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种薄膜结构体,其特征在于:在导电层上方层叠导电性的突起部,利用形成在上述导电层上的绝缘层围住上述突起部的周围,上述突起部具有与上述导电层连接的基底部和层叠在该基底部上的上层部,上述上层部的、与膜厚度方向垂直的剖面的面积,越向上述上层部的上方越逐渐减小,而且,在上述上层部上,侧边缘部比上述基底部的侧边缘部向外侧伸出而形成延出部,上述绝缘层,在上述基底部的整个周围,也存在于延出部的下方。
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