[发明专利]半导体激光器及其制造方法无效

专利信息
申请号: 200410045315.4 申请日: 2004-05-21
公开(公告)号: CN1574517A 公开(公告)日: 2005-02-02
发明(设计)人: 辻亮 申请(专利权)人: 夏普株式会社
主分类号: H01S5/00 分类号: H01S5/00;G11B7/125
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 代理人: 陈瑞丰
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 实现了一种旨在减小尺寸且能保持高定位精度的半导体激光器,以及制造所述半导体激光器的方法。半导体激光器(1)包括:确定为基件的芯柱(3);以及盖件(2)。所述芯柱(3)包括具有参考面(7)的主单元(4)和作为元件安装单元的散热平台(5),所述散热平台(5)位于参考面上用来安装激光元件(10)。盖件(2)设置在芯柱(3)的参考面(7)上,以便覆盖散热平台(5)。孔(16b)形成在面对散热平台(5)的盖件(2)的侧壁处。通过将盖件(2)的侧壁内侧上的位于孔(16b)附近的部分固定地连接至散热平台(5)的外周面(27)来在盖件(2)与芯柱(3)之间建立固定。
搜索关键词: 半导体激光器 及其 制造 方法
【主权项】:
1.一种半导体激光器,包括:基件,所述基件包括具有参考面的主单元以及位于所述主单元的参考面上且用来安装激光元件的元件安装单元;以及盖件,所述盖件设置在所述基件的参考面上,以便覆盖所述元件安装单元,其中,在所述盖件的侧壁处形成有孔,所述孔面对所述元件安装单元;以及通过将所述盖件侧壁的内周侧处邻近所述孔的部分固定地连接至所述元件安装单元的外周面,而将所述盖件固定至所述基件。
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