[发明专利]具有加强编程和擦除功能的与非闪速存储器及其制造方法有效
| 申请号： | 200410045375.6 | 申请日： | 2004-05-21 |
| 公开（公告）号： | CN1637949A | 公开（公告）日： | 2005-07-13 |
| 发明（设计）人： | 陈秋峰;普拉蒂普·滕塔索德;范德慈 | 申请（专利权）人： | 阿克特兰斯系统公司 |
| 主分类号： | G11C16/04 | 分类号： | G11C16/04 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 与非闪速存储单元阵列和制造方法，具有显著减小的存储元尺寸和更大的存储元密度，它也具有用于编程和擦除操作的增强高电压耦合，这意味着所述高电压可以被降低并且在浮置栅下面的所述隧穿氧化物可以较厚。其中控制栅和浮置栅被叠层成对且在一个位线扩散区和一个公用源扩散区之间布置成排，同时在每个所述叠层栅对的两侧具有选择栅。所述每个叠层对中的栅为相互自对准的。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 加强 编程 擦除 功能 非闪速 存储器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种与非闪速存储单元阵列，包括：一具有有源区的衬底，在所述有源区上方布置成排的、浮置栅和控制栅的多个垂直叠层对，所述控制栅设置在所述浮置栅的上面，与各个所述叠层栅对准并定位在各个所述叠层栅的两侧的选择栅，在每排上方的位线，在所述有源区内靠近每排的第一端的位线扩散区，将所述每排的位线和所述位线扩散区互连的位线接触，以及在每排的第二端的、至少部分地被所述选择栅覆盖的、所述有源区内的源区。
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