[发明专利]半导体电路装置无效

专利信息
申请号: 200410045605.9 申请日: 2004-05-08
公开(公告)号: CN1542724A 公开(公告)日: 2004-11-03
发明(设计)人: 市原隆 申请(专利权)人: 松下电器产业株式会社
主分类号: G09G3/36 分类号: G09G3/36
代理公司: 上海专利商标事务所 代理人: 包于俊
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 在将高电位侧相对于系统接地(VSS)具有规定电位差的直流电压源(VDD)和电位相对于所述系统接地(VSS)而随时间变化的电源(VH)输入、并驱动输出元件的半导体电路装置中,包括将以系统接地(VSS)和所述直流电压源(VDD)之间作为振幅的输入信号(105)、变换成将控制成使电位相对于所述系统接地而随时间变化的内部接地(VL)和控制成与内部接地(VL)的变化相对应变化并在所述内部接地为一定电位时在高电位侧具有所述规定电位差的内部电源之间作为振幅的变换信号(106)、然后输出的电压变换电路(4),根据所述内部接地(VL)的电位,选择所述输入信号(105)和所述变换信号(106)后,选择电路(5)切换输出。
搜索关键词: 半导体 电路 装置
【主权项】:
1、一种半导体电路装置,将相对于系统接地在高电位侧具有规定电位差的直流电压源和相对于所述系统接地而电位随时间变化的电源进行输入、并驱动输出元件,其特征在于,包括将以所述系统接地和所述直流电压源之间作为振幅的输入信号、变换成将控制成使电位相对于所述系统接地而随时间变化的内部接地、和控制成与所述内部接地的变化相对应变化并在所述内部接地为一定电位时在所述高电位侧具有所述规定电位差的内部电源之间作为振幅的变换信号、然后输出的电压变换电路;以及根据所述内部接地电位选择所述输入信号和所述变换信号后进行输出的选择电路。
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