[发明专利]表面处理方法、硅外延片的制造方法以及硅外延片有效
| 申请号： | 200410045706.6 | 申请日： | 2004-05-21 |
| 公开（公告）号： | CN1574247A | 公开（公告）日： | 2005-02-02 |
| 发明（设计）人： | 保科祐章;田中纪通 | 申请（专利权）人： | 信越半导体株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/316 | 分类号： | H01L21/316;H01L21/306;H01L21/205 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 廖凌玲;杨松龄 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 在自掺杂现象、颗粒以及裂纹的产生受到抑制的状态下，保持较高的生长速度在单晶硅基片的主表面上气相生长出硅外延层。作为硅外延片(1)的制造方法，首先，在单晶硅基片(10)的背面(14)形成硅氧化膜(15)。其次，将单晶硅基片(10)，以单晶硅基片(10)的背面(14)被遮盖、并且单晶硅基片(10)的外周部(16)的一部分露出于液面之上的状态浸渍在氢氟酸中，以使得从单晶硅基片(10)的背面(14)延续到外周部(16)的最外缘(X)的外周氧化膜(110)，仅残留于外周部(16)的局部上。然后，在残留的外周氧化膜(110)与基座(32)的锪孔部(33)的侧面相接触的状态下，在单晶硅基片(10)的主表面(12)上气相生长出硅外延层(13)。 | ||
| 搜索关键词： | 表面 处理 方法 外延 制造 以及 | ||
【主权项】：
1.一种单晶硅基片的表面处理方法，其特征是，具有以遮盖形成于上述单晶硅基片的背面上的硅氧化膜、并且单晶硅基片的外周部的一部分露出于液面之上的状态，将上述单晶硅基片浸渍在氢氟酸中的氢氟酸处理工序。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
