[发明专利]不对称存储单元无效
| 申请号： | 200410045716.X | 申请日： | 2004-05-21 |
| 公开（公告）号： | CN1574295A | 公开（公告）日： | 2005-02-02 |
| 发明（设计）人： | 许胜籐;李廷凯;D·R·埃文斯 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/8239 | 分类号： | H01L21/8239;H01L21/8247;H01L21/82;H01L27/115;H01L27/10 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 张雪梅;叶恺东 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种不对称存储单元和用于形成不对称存储单元的方法。方法包括：形成具有第一面积的底部电极；在底部电极上形成电脉冲变化电阻(EPVR)材料；在EPVR层上形成具有比第一面积小的第二面积的顶部电极。在一些方面，第二面积比第一面积小至少20％。EPVR材料是诸如超大磁致电阻(CMR)材料、高温超导(HTSC)材料或钙钛矿金属氧化物材料的材料。本方法进一步包括：在电极之间感应电场；感应电流使其流过邻近顶部电极的EPVR；以及响应流过邻近顶部电极的EPVR的感应电流，调整EPVR的电阻。典型地，在100欧姆－10兆欧范围内调整电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 不对称 存储 单元 | ||
【主权项】：
1.用于形成不对称存储单元的方法，该方法包括：形成具有第一面积的底部电极；形成覆在底部电极上的电脉冲变化电阻(EPVR)材料；形成在EPVR层上的具有小于第一面积的第二面积的顶部电极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于夏普株式会社，未经夏普株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200410045716.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
