[发明专利]大规模集成电路封装无效
申请号: | 200410045723.X | 申请日: | 2004-05-21 |
公开(公告)号: | CN1574349A | 公开(公告)日: | 2005-02-02 |
发明(设计)人: | 末永宽;齐藤义行 | 申请(专利权)人: | 松下电器产业株式会社 |
主分类号: | H01L27/00 | 分类号: | H01L27/00;H01L23/12 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 吴立明;叶恺东 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 根据BGA等类型的LSI封装,在LSI封装上的源电压供应端的数目需要与LSI芯片上的电源端的数目大致相同,目的是防止由LSI芯片的内部电路中的开关操作产生的高频电流的影响。然而根据本发明,LSI芯片上的至少两个电源端连接到LSI封装上的一个源电压供应端上。另外,电容器元件嵌入到形成该LSI封装的主体的基板中,并且该电容器元件提供在源电压供应端和接地端之间。 | ||
搜索关键词: | 大规模集成电路 封装 | ||
【主权项】:
1、一种LSI封装,包括:基板;安装在基板上或嵌入基板中的LSI芯片;在LSI芯片上提供的多个电源端;在基板的其中一个主表面上提供的一个或多个源电压供应端,且其数目小于多个电源端的数目;以及嵌入在基板中且其第一端接地的电容器元件,其中至少一个源电压供应端连接到LSI芯片上多个电源端中的至少两个,使得连接到至少一个源电压供应端的电源路径在基板中分支为至少两条电源路径,以及电容器元件的第二端在电源路径分支之前的点处连接到电源路径。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的