[发明专利]制造具有绝缘性能提高的氮化膜的半导体器件的方法无效
| 申请号： | 200410045757.9 | 申请日： | 2004-05-21 |
| 公开（公告）号： | CN1574248A | 公开（公告）日： | 2005-02-02 |
| 发明（设计）人： | 泷本俊英 | 申请（专利权）人： | 尔必达存储器株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/318 | 分类号： | H01L21/318;C23C16/34;C23C16/42;H01L21/02 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 穆德骏;樊卫民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明公开了一种制造半导体器件的方法，所述方法包括通过下列步骤形成两层氮化硅膜作为绝缘膜：将含氮气体与二氯甲硅烷反应，形成一层氮化硅膜；将含氮气体与由硅和氯组成的化合物反应，形成另一层氮化硅膜。一层氮化硅膜的漏电流性能优越，而另一层氮化硅膜的沉积速度比一层氮化硅膜的沉积速度快，导致氮化硅膜的绝缘性能改善并使模拟膜的产量较高。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 具有 绝缘 性能 提高 氮化 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造具有至少两层氮化硅膜的半导体器件的方法，所述方法包括以下步骤：将含氮气体与二氯甲硅烷反应，形成所述至少两层氮化硅膜中的一层氮化硅膜；和将含氮气体与由硅和氯组成的化合物反应，形成所述至少两层氮化硅膜中的另一层氮化硅膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
