[发明专利]单向导通器件有效
申请号: | 200410045856.7 | 申请日: | 2004-05-20 |
公开(公告)号: | CN1700595A | 公开(公告)日: | 2005-11-23 |
发明(设计)人: | 陈升峰 | 申请(专利权)人: | 广达电脑股份有限公司 |
主分类号: | H03K17/0814 | 分类号: | H03K17/0814;H03K17/687 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 王志森;黄小临 |
地址: | 台湾省*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 一种单向导通器件,包括金属氧化物半导体场效应晶体管及驱动器,金属氧化物半导体场效应晶体管的源极与漏极分别作为单向导通器件的P极与N极,驱动器包括BJT差动放大器。该驱动器用以检测金属氧化物半导体场效应晶体管源极与漏极间的电位差,当P极电位高于N极电位时,驱动器便输出一驱动电位至金属氧化物半导体场效应晶体管的栅极,以令其导通。若P极电位低于N极电位,驱动器便无法输出导通金属氧化物半导体场效应晶体管所需的驱动电位,此时单向导通器件关断,因此,本发明的单向导通器件具有单向导通的特性。 | ||
搜索关键词: | 向导 器件 | ||
【主权项】:
1.一种单向导通器件,该单向导通器件包括:一第一晶体管,具有一源极、一漏极及一栅极;以及一驱动电路,耦接到该第一晶体管,该驱动电路包括:一第二晶体管,具有一第二射极、第二基极及第二集电极;一第三晶体管,具有一第三射极、第三基极及第三集电极,该第三射极耦接到该源极,该第三集电极耦接该栅极,该第二基极与该第三基极耦接,该第二基极与该第二集电极耦接;一第一阻抗,该第一阻抗的一端耦接到该漏极,该第一阻抗的另一端耦接到该第二射极;一第二阻抗,该第二阻抗的一端耦接到该第二集电极,该第二阻抗的另一端耦接到一固定电压;以及一第三阻抗,该第三阻抗的一端耦接到该第三集电极,该第三阻抗的另一端耦接到该固定电压。
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