[发明专利]压电体元件及其制造方法有效
| 申请号： | 200410045859.0 | 申请日： | 2004-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN1551380A | 公开（公告）日： | 2004-12-01 |
| 发明（设计）人： | 喜多弘行 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L41/08 | 分类号： | H01L41/08;H01L41/16;H01L41/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 张平元;赵仁临 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及由第1电极膜、第2电极膜、第1电极膜及第2电极膜所夹的压电体薄膜构成的压电体元件，特征是上述压电体薄膜为氧化物压电体薄膜，其相对化学计量组成上具有0％以上至10％或10％以下的氧缺损量。与处于化学计量组成的氧化状态的氧化物压电体薄膜相比，具有上述氧缺损量的压电体薄膜制成的压电体元件有较大的压电性，而且，在该条件下制作，可以增大成膜速度，从而能改善批量生产性。 | ||
| 搜索关键词： | 压电 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种压电体元件，其包括以下组成：包含第1电极膜、第2电极膜以及该第1电极膜和第2电极膜所夹的压电体薄膜的压电体元件，该压电体薄膜是相对化学计量组成具有0％以上至10％或10％以下的氧缺损量的氧化物压电体薄膜。
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