[发明专利]生长高迁移率氮化镓外延膜的方法无效
| 申请号： | 200410046040.6 | 申请日： | 2004-06-02 |
| 公开（公告）号： | CN1704506A | 公开（公告）日： | 2005-12-07 |
| 发明（设计）人： | 王晓亮;胡国新;王军喜;李建平;曾一平;李晋闽 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | C30B25/02 | 分类号： | C30B25/02;C30B29/40;H01L21/205 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083北*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种生长高迁移率氮化镓外延膜的方法，其特征在于，包括如下步骤：选择一衬底；在衬底上采用金属有机物化学气相沉积法生长一层低温氮化镓成核层；随后升高衬底的温度，在低温氮化镓成核层上生长氮化镓恢复层；最后改变生长室压力，在氮化镓恢复层上生长非有意掺杂高迁移率氮化镓层。 | ||
| 搜索关键词： | 生长 迁移率 氮化 外延 方法 | ||
【主权项】：
1.一种生长高迁移率氮化镓外延膜的方法，其特征在于，包括如下步骤：选择一衬底；在衬底上采用金属有机物化学气相沉积法生长一层低温氮化镓成核层；随后升高衬底的温度，在低温氮化镓成核层上生长氮化镓恢复层；最后改变生长室压力，在氮化镓恢复层上生长非有意掺杂高迁移率氮化镓层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院半导体研究所，未经中国科学院半导体研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200410046040.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
