[发明专利]具有金刚石形金属互连配置的半导体功率器件有效
| 申请号： | 200410046090.4 | 申请日： | 2004-06-04 |
| 公开（公告）号： | CN1574335A | 公开（公告）日： | 2005-02-02 |
| 发明（设计）人： | 根纳季·涅姆采夫;王辉;郑英平;拉杰什·S·耐尔 | 申请（专利权）人： | 半导体元件工业有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L23/52 | 分类号： | H01L23/52;H01L29/78 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及具有金刚石形金属互连配置的半导体功率器件。晶体管(10)被制作成晶体管单元(13)的矩阵，具有用于接触晶体管单元的漏极(15)的漏极金属条(50)和用于接触晶体管单元的源极(35)的源极金属条(55)。覆盖晶体管单元矩阵的互连层(1030)具有通过第一和第二通路(79)接触一个漏极金属条的第一部分(201)和通过第三和第四通路(78)接触一个源极金属条的第二部分(101)。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 金刚石 金属 互连 配置 半导体 功率 器件 | ||
【主权项】：
1.一种晶体管，包括：晶体管单元矩阵，包括用于接触晶体管单元的漏极的漏极金属条和用于接触晶体管单元的源极的源极金属条；和互连层，该互连层覆盖晶体管单元矩阵并具有第一和第二漏极部分，各自通过两个通路接触漏极金属条之一；以及第一和第二源极部分，各自通过两个通路接触源极金属条之一。
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