[发明专利]反应腔室泄漏的检测方法以及蚀刻/沉积制程有效
| 申请号： | 200410046189.4 | 申请日： | 2004-06-02 |
| 公开（公告）号： | CN1704744A | 公开（公告）日： | 2005-12-07 |
| 发明（设计）人： | 张圣文;简益辉;林仲仁;林佩筠 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G01M3/26 | 分类号： | G01M3/26 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 寿宁;张华辉 |
| 地址： | 中国*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明是关于一种反应腔室泄漏的检测方法以及蚀刻/沉积制程。该反应腔室泄漏的检测方法，是首先在一反应腔室中通入一气体，且所通入的气体是以全流量的条件通入反应腔室中。之后，量测反应腔室中的压力是否异常，即可判断出反应腔室是否有泄漏。若有泄漏的情形发生，外界的空气将会进入反应腔室中而使反应腔室的压力提高，如此即可判断出反应腔室有泄漏。 | ||
| 搜索关键词： | 反应 泄漏 检测 方法 以及 蚀刻 沉积 | ||
【主权项】：
1、一种反应腔室泄漏的检测方法，其特征在于其包括以下步骤：在一反应腔室中通入一气体，其中该气体是以全流量的条件通入该反应腔室中；以及量测该反应腔室中的压力是否异常，以判断该反应腔室是否有泄漏。
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