[发明专利]半导体集成电路器件的制造方法和半导体集成电路器件

摘要

本发明公开了一种半导体集成电路器件的制造方法和半导体集成电路器件，抑制在采用多晶硅－金属硅化物双栅结构的n沟道MISFET和p沟道MISFET的边界附近的栅极电极中杂质的相互扩散。n沟道MISFET的栅极电极(10n)和p沟道MISFET的栅极电极(10p)，由于彼此导电类型不同，因此为了防止杂质的相互扩散而使其分离，并经由在以后的工序所形成的金属布线将两者电连接。另外，在使栅极电极材料形成图形并使栅极电极(10n、10p)分离的之前的工序中，不进行大于或等于700℃的高温热处理，由此防止在栅极电极形成前的工序中杂质的相互扩散。

主权项

1.一种半导体集成电路器件的制造方法，在半导体衬底上形成n沟道MISFET和p沟道MISFET，其特征在于：包括(a)在上述半导体衬底的主平面形成栅极绝缘膜之后，在上述栅极绝缘膜上形成硅膜的步骤；(b)通过向上述硅膜中导入多种杂质，使上述硅膜的一部分成为n型硅膜，其它部分成为p型硅膜的步骤；(c)在上述n型硅膜以及上述p型硅膜的各自的上部，形成以钨或者硅化钨为主要成分的导电膜的步骤；(d)在上述(c)步骤之后，通过使上述导电膜、上述n型硅膜、以及上述p型硅膜形成图形，形成包括上述n型硅膜和上述导电膜的叠层膜的n沟道MISFET的栅极电极，形成包括上述p型硅膜和上述导电膜的叠层膜的p沟道MISFET的栅极电极的步骤；(e)在上述(d)步骤之后，以大于或等于700℃的温度对上述半导体衬底进行热处理的步骤。