[发明专利]带单片生长光电探测器的长波长垂直腔面发射激光器无效
| 申请号： | 200410046555.6 | 申请日： | 2004-06-02 |
| 公开（公告）号： | CN1585215A | 公开（公告）日： | 2005-02-23 |
| 发明（设计）人： | 金泽 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/026 | 分类号： | H01S5/026;H01S5/183;H01S5/343 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 李晓舒;魏晓刚 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了一种带单片生长光电探测器的长波长垂直腔面发射激光器(VCSEL)。该光电探测器安装于该长波长VCSEL的下分布式布拉格反射器的中间部分中或底部表面上。光电探测器与长波长VCSEL整体形成。其上晶体生长有长波长VCSEL和光电探测器的衬底未吸收由长波长VCSEL发射的激光束。因此，准确探测了朝向衬底的激光束，并且激光束的增益得到了有效控制。 | ||
| 搜索关键词： | 单片 生长 光电 探测器 波长 垂直 发射 激光器 | ||
【主权项】：
1.一种长波长垂直腔面发射激光器，包括：半导体衬底；下分布式布拉格反射器，其包括多个层，并生长在该半导体衬底上；有源区，其包括多个半导体材料层，并生长在该下分布式布拉格反射器上；以及上分布式布拉格反射器，其包括多个层，并生长在该有源区上，其中，该下分布式布拉格反射器层包括探测从该有源区发射朝向该半导体衬底的激光束的光电探测器。
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