[发明专利]制造具有硅化电极的半导体器件的方法无效
申请号: | 200410047198.5 | 申请日: | 2004-10-18 |
公开(公告)号: | CN1627502A | 公开(公告)日: | 2005-06-15 |
发明(设计)人: | R·兰德尔;M·J·H·凡达尔;J·C·胡克尔 | 申请(专利权)人: | IMEC公司;康宁克里克菲利浦电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/8238 | 分类号: | H01L21/8238;H01L27/092 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人: | 李家麟 |
地址: | 比利*** | 国省代码: | 比利时;BE |
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摘要: | 本发明涉及一种制造具有半导体基体的器件的方法,该半导体基体包括一个具有一个电介质层和一个第一导体的第一半导体结构以及一个具有一个电介质层和第二导体的第二半导体结构组成,第一导体邻接电介质层的部分具有与第二导体相应部分不同的功函数。在本发明的方法中,在将电介质层涂敷到所述的半导体基体上之后,将金属层涂敷到所述的电介质层上,然后将硅层沉积在金属层上并使其与位于第一半导体结构位置上的金属层开始反应,形成金属硅化物。在本发明中,具有不同功函数的那些导体部分是通过蚀刻除硅层之外的层而形成的,特别是在两个半导体结构的位置的其中之一的位置金属层。此外,将另一个金属层涂敷到硅层上且其用于在第二晶体管的位置形成另一金属硅化物。本发明的方法特别适合应用在CMOS技术并获得具有良好特性的PMOS和NMOS晶体管。 | ||
搜索关键词: | 制造 具有 电极 半导体器件 方法 | ||
【主权项】:
1.一种制造具有半导体基体(1)的半导体器件的方法,这种半导体器件(1)包括:—第一半导体结构(4),具有电介质层(8)和包括第一导体的第一电极(13),和—第二半导体结构(6),具有电介质层(8)和包括第二导体的第二电极(14),第二电极不同于第一电极并且在相邻电介质层(8)的部分(25)具有与第一导体的相应部分(20)不同的功函数,其中在将电介质层(8)涂敷到半导体基体(1)后,将第一金属层(9)涂敷到电介质层(8)上,然后将硅层(11)涂敷到该金属层上,且这两层在至少一个半导体结构(4、6)的位置处相互反应,在此位置形成第一金属硅化物,其中具有不同功函数的导体的部分(20,25)是通过靠蚀刻在两个半导体结构(4、6)的其中之一位置处的除硅层(11)之外的层而形成的。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造