[发明专利]磁记录介质无效
| 申请号： | 200410047228.2 | 申请日： | 2004-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN1573944A | 公开（公告）日： | 2005-02-02 |
| 发明（设计）人： | 铃木博之;神边哲也;山本朋生;桧上龙也 | 申请（专利权）人： | 日立环球储存科技荷兰有限公司 |
| 主分类号： | G11B5/66 | 分类号： | G11B5/66 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 李春晖 |
| 地址： | 荷兰阿*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 本申请提供了一种磁记录介质，其能够获得每平方毫米不低于100Mbit的面内记录密度(in－plane recordingdensity)。在该磁记录介质中，在衬底10上按照下述列举顺序形成底层11，12，23、一个第一磁性层14、一个第一中间层15、一个第二磁性层16、一个第二中间层17、一个第三磁性层18、一个保护层19和一个润滑层20。所述第三磁性层18和所述第二磁性层16均包括至少包含Pt、Cr和B的钴基合金，所述第二磁性层16中的Pt的含量不高于在第三磁性层18中的含量，第三磁性层18中包含的Pt为15at％或以下，第三磁性层18中包含的Cr的含量大于或等于15at％且小于或等于18at％，第三磁性层中包含的B的含量大于或等于7at％且小于或等于10at％。 | ||
| 搜索关键词： | 记录 介质 | ||
【主权项】：
1.一种磁记录介质，包括在衬底上按照下述列举顺序形成的一个底层、一个第一磁性层、一个第一中间层、一个第二磁性层、一个第二中间层、一个第三磁性层、一个保护层和一个润滑层，其中：所述第三磁性层和所述第二磁性层均包括至少包含Pt和Cr的钴基合金，所述第二磁性层中的Pt的含量不高于在第三磁性层中的含量，第三磁性层中包含的Pt为15at％或以下，第三磁性层中包含的Cr的含量大于或等于15at％且小于或等于18at％，第三磁性层中包含的B的含量大于或等于7at％且小于或等于10at％。
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