[发明专利]半导体器件无效
| 申请号： | 200410047237.1 | 申请日： | 2004-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN1574388A | 公开（公告）日： | 2005-02-02 |
| 发明（设计）人： | 杉山亨;野津哲郎;森塚宏平 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L29/737 | 分类号： | H01L29/737;H01L29/73;H01L29/205;H01L29/78 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 胡建新 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种适用于高频放大器的半导体器件，具有：由n型GaAs层构成的集电极接触层、由形成在上述集电极接触层上的n型GaAs层构成的第1集电极层、由形成在上述第1集电极层上的p型GaAs层构成的第2集电极层、由形成在上述第2集电极层上的n型InGaP层构成的第3集电极层、由形成在上述第3集电极层上，杂质浓度比上述第3集电极层高的n型InGaP层构成的第4集电极层、由形成在上述第4集电极层上的n型GaAs层构成的第5集电极层、由形成在上述第5集电极层上的p型GaAs层构成的基极层以及由形成在上述基极层上的n型InGaP层构成的发射极层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
1、一种半导体器件，其特征在于具有：由n型GaAs层构成的集电极接触层、由形成在上述集电极接触层上的n型GaAs层构成的第1集电极层、由形成在上述第1集电极层上的P型GaAs层构成的第2集电极层、由形成在上述第2集电极层上的n型InGaP层构成的第3集电极层、由形成在上述第3集电极层上，杂质浓度比上述第3集电极层高的n型InGaP层构成的第4集电极层、由形成在上述第4集电极层上的n型GaAs层构成的第5集电极层、由形成在上述第5集电极层上的P型GaAs层构成的基极层、以及由形成在上述基极层上的n型InGaP层构成的发射极层。
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