[发明专利]用聚硅氮烷基材料填充高深宽比隔离结构无效
| 申请号： | 200410047334.0 | 申请日： | 2004-06-02 |
| 公开（公告）号： | CN1574277A | 公开（公告）日： | 2005-02-02 |
| 发明（设计）人： | 迈克尔·P·别尔彦斯基;拉曼·迪瓦卡若尼;拉尔蒂斯·伊科诺米克斯;拉甲若·加米;小肯尼思·T·赛特米尔;帕卓克·C·谢弗 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L21/76 | 分类号： | H01L21/76 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 使用一种工艺填充具有深宽比达到60的含有垂直FET(或任何之前层面的p－n结或不同材料界面)的隔离沟槽和电容器，该工艺包括：涂敷基于硅氮烷的且具有低分子量的旋涂材料；在温度低于约450摄氏度的氧环境中预烘烤涂敷的材料；通过在450摄氏度与800摄氏度之间的中间温度下在H2O环境中加热，转换该材料中的应力；在升高的温度下在O2环境中再次加热，致使材料在达到1000摄氏度是稳定的，具有可通过改变工艺参数调整的压缩应力，具有与通过HDP技术形成的氧化物电介质相当的刻蚀速率，并且耐久性足以承受CMP抛光。 | ||
| 搜索关键词： | 用聚硅氮 烷基 材料 填充 高深 隔离 结构 | ||
【主权项】：
1、一种形成含有一组具有与其相关的热预算的热敏电路元件和一组隔离沟槽的集成电路的方法，包括以下步骤：提供硅衬底；在形成隔离结构之前形成至少一个具有热预算的电路元件；在所述硅衬底中刻蚀该组沟槽；使用含有硅氮烷的旋涂沟槽电介质材料填充该组沟槽；在低于约450摄氏度的温度下加热所述衬底；通过在温度约450摄氏度与约900摄氏度之间的含有H2O的环境中加热，将所述的沟槽电介质材料中的应力从张应力转换成压缩应力；通过在高于800摄氏度的温度下在含有O2的环境中加热，对所述衬底退火；和完成所述集成电路。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
