[发明专利]薄膜半导体器件的制造方法无效
| 申请号： | 200410047429.2 | 申请日： | 1995-09-16 |
| 公开（公告）号： | CN1545135A | 公开（公告）日： | 2004-11-10 |
| 发明（设计）人： | 须泽英臣;竹村保彦;山崎舜平 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L21/3063 | 分类号： | H01L21/3063;H01L21/306;H01L21/308;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 王勇 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种薄膜晶体管，可减少源极和漏极之间的漏电流。用湿法蚀刻技术蚀刻硅膜以获得具有锥形边缘的岛状硅半导体区域。另外，用干法蚀刻技术形成具有锥形边缘部分的岛状半导体区域，并用蚀刻例如氢或氢氟氮酸蚀刻边缘部分。结果，在岛状半导体区域中，可除去干法蚀刻时已被等离子体破坏的部分。减少由这一部分引起的源极和漏极之间的漏电流和减少当栅极横断岛状硅区域时发生断开的缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造薄膜半导体器件的方法，包括：通过对硅具有蚀刻作用的非等离子处理形成具有锥形边缘的岛状硅半导体区域。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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