[发明专利]MOS型半导体器件无效
| 申请号： | 200410047431.X | 申请日： | 2004-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN1574394A | 公开（公告）日： | 2005-02-02 |
| 发明（设计）人： | 大石周 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/80 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 包于俊 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的半导体器件，具备在半导体基板上利用元件分离区域分离的MOSFET的有源区域、通过所述有源区域上而设置的至少一条栅极和在所述栅极的两侧与所述有源区域的表面接触而形成的源接触和源接触，所述栅极沿栅极随着离开所述接触和/或漏接触的位置，使栅长变细，形成阶梯状或连续形成。 | ||
| 搜索关键词： | mos 半导体器件 | ||
【主权项】：
1、一种半导体器件，其特征在于，具备在半导体基板上利用元件分离区域分离的MOSFET的有源区域、设置于所述有源区域上的至少一条栅极、和至少在所述栅极的单侧与所述有源区域的表面接触而形成的至少1个源/漏接触，所述栅极这样形成，它沿栅极随着离开所述源/漏接触位置，使栅长变短。
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