[发明专利]薄膜磁传感器及其制造方法无效
| 申请号： | 200410047490.7 | 申请日： | 2004-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN1573349A | 公开（公告）日： | 2005-02-02 |
| 发明（设计）人： | 小林伸圣;白川究;金田安司 | 申请（专利权）人： | 财团法人电气磁气材料研究所;大同特殊钢株式会社 |
| 主分类号： | G01R33/09 | 分类号： | G01R33/09;H01L43/08 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 李家麟 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种薄膜磁传感器包含一对各自由轮磁材料组成的第一薄膜磁轭和第二薄膜磁轭，第一和第二薄膜磁轭设置为相互面对面，在它们中间介入一空隙；具有电阻率高于软磁材为电阻率的和形成于空隙中的GMR薄膜，以便电气连接至第一薄膜磁轭和第二薄膜磁轭；和由绝缘的非磁性材料组成的和作用是支持第一薄膜磁轭，第二薄膜磁轭和GMR薄膜的绝缘衬底。GMR薄膜在位于面对第二薄膜磁轭的第一薄膜磁轭的前表面上形成，和空隙长度由位于第一薄膜磁轭前表面上的GMR薄膜厚度所限定。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 传感器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种薄膜磁传感器，包含：一对各自由软磁材料形成的第一薄膜磁轭和第二薄膜磁轭，此第一和第二薄膜磁轭的放置位置是相互面对面，在它们中间介入一空隙；具有电阻率高于软磁材料的电阻率，且在空隙中形成的GMR薄膜，以便电气连接至第一薄膜磁轭和第二薄膜磁轭；和由绝缘的非磁性材料组成且作用是支持第一薄膜磁轭，第二薄膜磁轭和GMR薄膜的绝缘衬底；其中GMR薄膜形成在位于面对第二薄膜磁轭的第一薄膜磁轭的前表面上，和空隙长度由位于面对第二薄膜磁轭的第一薄膜磁轭的前表面上的GMR薄膜的厚度所限定。
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