[发明专利]半导体发光设备及其制造方法有效
| 申请号： | 200410047755.3 | 申请日： | 2004-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN1551430A | 公开（公告）日： | 2004-12-01 |
| 发明（设计）人： | 栗田贤一;金子延容 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/022 | 分类号： | H01S5/022;H01L21/52;H01L21/58;H01L23/12 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 李家麟 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种半导体发光设备包括非导电性辅助支架；在辅助支架上设置的金属层；在金属层上设置的焊接材料元件；和通过焊接材料元件管芯焊接到金属层上的半导体发光器件。金属层表面包括具有粘附在其上的焊接材料元件的焊接材料附着区和暴露金属层表面的金属层暴露区。焊接材料附着区电连接到金属层暴露区。焊接材料附着区比半导体发光器件的管芯焊接区更大。金属层暴露区具有暴露了辅助支架的金属层除去区。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 设备 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体发光设备，包括：非导电性辅助支架；在辅助支架上设置的金属层；在金属层上设置的焊接材料元件；和通过焊接材料元件管芯焊接到金属层上的半导体发光器件；其中金属层表面包括具有粘附在其上的焊接材料元件的焊接材料附着区和暴露金属层表面的金属层暴露区；焊接材料附着区电连接到金属层暴露区；焊接材料附着区比半导体发光器件的管芯焊接区更大和金属层暴露区具有暴露了辅助支架的金属层除去区。
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