[发明专利]用于页复制操作的可纠错的非易失性存储器及其方法有效
| 申请号： | 200410047759.1 | 申请日： | 2004-04-05 |
| 公开（公告）号： | CN1551244A | 公开（公告）日： | 2004-12-01 |
| 发明（设计）人： | 李真烨 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C29/00 | 分类号： | G11C29/00;G11C16/02 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 黄小临;王志森 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 公开了一种在页复制操作过程中具有错误检测和校正功能的NAND闪存。该NAND闪存可以防止从源页转录错误位到一个复制页。本发明闪存的实施例包括一个用于校正存储在页缓冲器中源数据的位错误的校正电路，一个配置得适于提供源数据到校正电路以及提供校正数据到页缓冲器的电路，和一个配置得适于复制源数据到页缓冲器、并将校正数据从页缓冲器存储到另一个页的复制电路。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 复制 操作 纠错 非易失性存储器 及其 方法 | ||
【主权项】：
1.一种非易失性存储器，包括：存储数据的多个页；页缓冲器，用于通过该页暂时存储数据；校正电路，用于校正所述多个页的特定一页的源数据的一个位错误；转移电路，其配置得适于提供源数据到校正电路以及从校正电路提供改正数据到页缓冲器；以及复制电路，其配置得适于将源数据复制到页缓冲器以及将改正数据从页缓冲器存储到另一个页。
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