[发明专利]多层膜结构及采用该多层膜结构的致动元件、电容元件和滤波元件有效
| 申请号： | 200410047968.6 | 申请日： | 2004-06-09 |
| 公开（公告）号： | CN1574357A | 公开（公告）日： | 2005-02-02 |
| 发明（设计）人： | 近藤正雄;栗原和明 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/10 | 分类号： | H01L27/10;H01L21/00;H01L21/316;C01G1/00 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 丁香兰 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 通过在半导体基片上进行外延生长并且保持整合性，提供了一种极化作用增强的多层膜结构。这种多层膜结构包括以氧化锆为主要成分的薄层、具有简单钙钛矿结构的薄层和中间层，所述以氧化锆为主要成分的薄层使外延生长得以进行，所述具有简单钙钛矿结构的薄层的(001)面相对于所述以氧化锆为主要成分的薄层呈45°的面内旋转，并进行外延生长，所述中间层位于所述以氧化锆为主要成分的薄层和所述具有简单钙钛矿结构的薄层之间。 | ||
| 搜索关键词： | 多层 膜结构 采用 元件 电容 滤波 | ||
【主权项】：
1.在半导体基片的(001)面上具有多个薄层的多层膜结构，其中，所述多层膜结构包含以氧化锆为主要成分的薄层和具有简单钙钛矿结构的薄层，所述以氧化锆为主要成分的薄层使外延生长得以进行，所述具有简单钙钛矿结构的薄层的(001)面相对于所述以氧化锆为主要成分的薄层呈45°的面内旋转，并进行外延生长。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
