[发明专利]半导体制造装置有效
| 申请号： | 200410048125.8 | 申请日： | 2004-06-16 |
| 公开（公告）号： | CN1574244A | 公开（公告）日： | 2005-02-02 |
| 发明（设计）人： | 崔熙焕;宋仁虎;姜聖哲;金湘甲 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H01L21/203;H01L21/205;H01L21/00 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 余刚;彭焱 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种干蚀刻装置，包括箱体，用于形成等离子进行干蚀刻工序；下部电极，包含排出箱体内部反应气体的排气口，并且设置基片；上部电极，与下部电极隔开面对。而且，这种干蚀刻装置包括清洗部，清洗部与电源进行电连接，包括：清洗时为了形成包含清洗用气体的等离子的清洗用电极；可引导清洗用电极水平移动的电极引导部件及支撑清洗用电极并引导清洗用电极垂直移动的电极支撑体。向清洗用电极施加电源形成等离子，并通过它除去箱体内壁残留的污染物。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 制造 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体制造装置，包括：箱体，具有气体注入口或排气口；第一电极，位于所述箱体内部并接地；第二电极，与所述第一电极形成包括清洗用气体的等离子，并与所述第一电极电连接；以及电源，与所述第二电极电连接、提供形成所述清洗用等离子能量。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社，未经三星电子株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200410048125.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
