[发明专利]用于监测—蚀刻工艺的方法与系统无效
| 申请号： | 200410048148.9 | 申请日： | 2004-06-16 |
| 公开（公告）号： | CN1619788A | 公开（公告）日： | 2005-05-25 |
| 发明（设计）人： | 马修芬顿·岱维司;约汉M·亚马提诺;连雷 | 申请（专利权）人： | 应用材料有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L21/306;H01L21/311;H01L21/3213;C23F1/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王学强 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种用于监测一蚀刻工艺的方法与系统。该蚀刻工艺可以使用量测信息，例如关键尺寸或层的厚度等，被监测。该量测信息是通过在该蚀刻工艺中所实施的关于该蚀刻工艺的离位与在位监测，例如光谱分析、干涉测量法、散射测量法，与反射测量法等所提供。离位量测信息与在位监测可以被用于监测，例如蚀刻工艺的一终点、形成于一基底的蚀刻纵深分布的一特征，以及一集成电路工艺的错误检测等。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 监测 蚀刻 工艺 方法 系统 | ||
【主权项】：
1.一种用于监测一蚀刻工艺的方法，其特征是，该方法包括：(a)对一基底执行一预蚀刻测量，以产生一预蚀刻量测信息；(b)将该基底与该预蚀刻量测信息提供给一蚀刻反应器；(c)在该蚀刻反应器中使用一蚀刻工艺来蚀刻该基底，其中以该预蚀刻量测信息结合一蚀刻工艺监测，来监测一蚀刻工艺终点；以及(d)当该蚀刻工艺监测，确定该蚀刻工艺符合该蚀刻工艺终点时，终止该蚀刻工艺。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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