[发明专利]半导体器件和半导体器件的制造方法

摘要

本发明提供半导体衬底上不发生滑移和缺陷，而可以形成浅pn结的半导体器件的制造方法。硅衬底上形成元件区域和元件隔离区域，元件区域上形成栅绝缘膜和栅电极。以栅电极为掩模，形成注入源漏杂质的源漏杂质区域。进行不让源漏杂质扩散，恢复源漏杂质区域晶体性的热处理。在元件隔离区域、硅衬底和栅电极上形成层间绝缘膜。介以层间绝缘膜对硅衬底照射层间绝缘膜不吸收而由硅衬底吸收的光加热硅衬底，不让源漏杂质扩散，但激活源漏杂质。

主权项

1.一种半导体器件的制造方法，其特征是包括：在硅衬底上形成隔离元件区域的元件隔离区域；在所述元件区域的所述硅衬底上成膜栅绝缘膜；在所述栅绝缘膜上形成栅电极；通过以所述栅电极为掩模的离子注入，在包括所述硅衬底表面的所述元件区域，形成注入源漏杂质的源漏杂质区域；进行不使所述源漏杂质扩散，恢复所述源漏杂质区域晶体性的热处理；在所述元件隔离区域、所述硅衬底和所述栅电极上形成层间绝缘膜；以及介以所述层间绝缘膜对所述硅衬底照射所述在层间绝缘膜不吸收而在所述硅衬底吸收的光加热所述硅衬底，不扩散所述源漏杂质，但激活所述源漏杂质。