[发明专利]用于提高MOS性能的引入栅极的应变有效
| 申请号： | 200410048245.8 | 申请日： | 2004-06-14 |
| 公开（公告）号： | CN1574395A | 公开（公告）日： | 2005-02-02 |
| 发明（设计）人： | 托马斯·霍夫曼;斯蒂芬·M·塞亚;马丁·D·贾尔斯 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L27/092;H01L21/336;H01L21/8234 |
| 代理公司： | 北京东方亿思专利代理有限责任公司 | 代理人： | 王怡 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明公开了一种装置，所述装置包括：定义出所述装置的内部的衬底；比所述衬底更靠外部的器件，所述器件包括栅电极；和比所述器件更靠外部且比所述衬底更靠外部的应变层。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 提高 mos 性能 引入 栅极 应变 | ||
【主权项】：
1.一种装置，包括：衬底；位于所述衬底上的器件，包括位于所述衬底的表面上方的栅电极；和被沉积在所述栅电极上方的应变材料。
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