[发明专利]电极结构以及具有该电极结构的半导体发光器件

摘要

本发明公开了一种电极结构以及具有该电极结构的半导体发光器件。该半导体发光器件包括：透明衬底；在透明衬底上形成的电子注入层；在电子注入层的第一区域上形成的有源层；在有源层上形成的空穴注入层；形成在空穴注入层上并同时提供高反射率和低接触电阻的第一电极结构；在电子注入层的第二区域上形成的第二电极结构；和与第一和第二电极结构电连接的电路基板，第一电极结构包括：具有任一选自由具有低接触电阻的镍、钯、铂和ITO构成的组的物质的接触金属结构；和具有铝或银的反射层。

主权项

1.一种半导体发光器件，包括：透明衬底；在该透明衬底上形成的电子注入层；在该电子注入层的第一区域上形成的有源层；在该有源层上形成的空穴注入层；形成在该空穴注入层上并同时提供高反射率和低接触电阻的第一电极结构；在该电子注入层的第二区域上形成的第二电极结构；以及与该第一和第二电极结构电连接的电路基板。