[发明专利]硅绝缘体晶片及其制造方法有效
| 申请号： | 200410048476.9 | 申请日： | 2004-06-10 |
| 公开（公告）号： | CN1574227A | 公开（公告）日： | 2005-02-02 |
| 发明（设计）人： | 罗伯特·赫茨尔;迪尔克·丹茨;安德烈亚斯·许贝尔;乌尔里希·兰贝特;赖因霍尔德·瓦里希 | 申请（专利权）人： | 硅电子股份公司 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;H01L21/84 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 于辉 |
| 地址： | 联邦德*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及一种硅绝缘体晶片，该晶片包括：一个由硅制得的基片、一个导热率至少为1.6W/Km的电绝缘层和一个厚度为10纳米至10微米、偏离平均层厚度的标准偏差至多为5％且缺陷密度至多为0.5HF缺陷/平方厘米的单晶硅层。本发明还涉及一种用于制造此类硅绝缘体晶片的方法，其中将由硅制成的基底晶片通过事先施加的电绝缘材料层与施主晶片相连。所述施主晶片载有一单晶硅施主层，该层的空穴浓度至多为1012个/立方厘米，且空穴聚块浓度至多为105个/立方厘米。在连接这些晶片后，将施主晶片的厚度以适当方式予以降低，从而由所述施主层形成一个具有本发明所述的性能的单晶硅层，所述单晶硅层经由电绝缘材料层与基底晶片相连接。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘体 晶片 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种硅绝缘体晶片，其包括：一个由硅制得的基片；在该基片的至少一个表面上沿至少一个空间方向的导热率至少为1.6W/Km的至少一个电绝缘层；和一个位于所述电绝缘层上、厚度为10纳米至10微米、偏离平均层厚度的标准偏差至多为5％且缺陷密度至多为0.5HF缺陷/平方厘米的单晶硅层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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