[发明专利]硅绝缘体基片、半导体基片及它们的制造方法无效
| 申请号： | 200410048921.1 | 申请日： | 2004-06-14 |
| 公开（公告）号： | CN1585106A | 公开（公告）日： | 2005-02-23 |
| 发明（设计）人： | 佐佐木勉;高山诚治;松村笃树 | 申请（专利权）人： | 硅电子股份公司 |
| 主分类号： | H01L21/76 | 分类号： | H01L21/76;H01L21/265;H01L27/12 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 于辉 |
| 地址： | 联邦德*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明提供了一种通过注氧隔离(SIMOX)技术批量生产理想的部分硅绝缘体基片的方法，该方法可避免掩埋式氧化物薄膜透过基片表面而曝露，且硅绝缘体区与非硅绝缘体区之间不会形成表面高度差。本发明的硅绝缘体基片制造方法包括：在单晶硅半导体基片的表面上形成一保护薄膜作为离子注入掩膜的步骤；在所述保护薄膜内形成规定图案的镂空部分的步骤；沿不垂直于半导体基片的方向将氧离子注入所述半导体基片表面的步骤；和对所述半导体基片施以热处理，从而在该半导体基片内形成掩埋式氧化物薄膜的步骤；所述方法的特征在于：在将氧离子注入所述半导体基片表面的步骤中，使氧离子注入流的投影与基片主体的特定方向间所形成的夹角至少有两个取值。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘体 半导体 它们 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种在单晶硅半导体基片内形成的带有掩埋式氧化物薄膜的硅绝缘体基片，其特征在于：具有掩埋式氧化物薄膜的硅绝缘体区与无掩埋式氧化物薄膜的非硅绝缘体区的表面高度差不超过200nm。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
