[发明专利]复合低介电常数的介电结构无效
| 申请号： | 200410048960.1 | 申请日： | 2004-06-09 |
| 公开（公告）号： | CN1574284A | 公开（公告）日： | 2005-02-02 |
| 发明（设计）人： | A·考利;M·瑙约克;金善渡 | 申请（专利权）人： | 因芬尼昂技术股份公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/31 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 梁永 |
| 地址： | 联邦德*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 一种用于形成一复合金属间介电结构的方法系加以提供。一起始金属间介电结构系加以提供，且其系包含一第一介电层以及二导线，而该二导线乃位于该第一介电层之中，接着，该第一介电层在该二导线间的部分系加以移除，以形成一沟渠，而该沟渠则被一第二介电材质所填充，并且，该第二介电材质系为一介电常数较该第一介电层之介电常数为低的一低k介电质。 | ||
| 搜索关键词： | 复合 介电常数 结构 | ||
【主权项】：
1.一种用于形成一复合金属间介电结构的方法，其包括下列步骤：提供包含一第一介电层以及二导线的一起始金属间介电结构，其中该二导线系位于该第一介电层之中；移除该第一介电层在该二导线间的部分，以形成一沟渠；以及以一第二介电材质填充该沟渠，其中该第二介电材质系为一介电常数较该第一介电层之介电常数为低的一低k介电质。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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